特許
J-GLOBAL ID：200903011951379996
プラグ及びニアゼロオーバラップ相互接続線の製造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-369819
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214897
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 狭いネックを有する導電性プラグを含む集積回路、およびそうしたプラグとその上の配線導体を作製する方法を提供する。【解決手段】 キャビティの口付近に内向きに伸長する横方向の突起を有するキャビティまたはバイアを誘電体層に作製することによって、プラグを作製する。その上の配線は、1層の導体材料を堆積し、次にプラグの2つの相対する側辺部分で、この層をエッチングすることによって形成する。層のエッチング中、突起は、金属プラグが突起を超えてエッチングされるのを防止し、それによりエッチングのためにプラグに空隙が形成されるのを防止する。
請求項（抜粋）：
半導体工作物上に垂直に伸長する導電性プラグを作製する方法であって、外部表面を有する誘電体層を前記工作物上に堆積する段階と、前記誘電体の前記外部表面におけるキャビティの口から下向きに垂直に伸長するキャビティ側壁によって境界を定められるキャビティを前記誘導体に形成する段階であって、前記側壁が前記キャビティの口付近に内向きに伸長する横方向の突起を含む階と、前記キャビティを埋めるために導電性材料を堆積し、それによってプラグを形成する段階と、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 D
, H01L 21/28 L
