特許
J-GLOBAL ID:200903011951380820
誘電体薄膜素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川口 義雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-133156
公開番号(公開出願番号):特開平7-073732
出願日: 1994年06月15日
公開日(公表日): 1995年03月17日
要約:
【要約】【目的】 リーク電流や疲労特性などの電気特性に優れた誘電体薄膜からなる誘電体薄膜素子を提供する。【構成】 誘電体薄膜5から構成される誘電体薄膜素子であって、誘電体薄膜5としてチタン酸ジルコン酸エルビウム鉛((Pb<SB>1-y</SB> Er<SB>y</SB> )(Zr<SB>x</SB> Ti<SB>1-x</SB>)O<SB>3</SB> )(ここで、0<x<1、0<y<1)を用いる。
請求項(抜粋):
誘電体薄膜(Pb(Zr,Ti)O3 )を具備する誘電体薄膜素子において、前記誘電体薄膜がエルビウムを含むことを特徴とする誘電体薄膜素子。
IPC (13件):
H01B 3/00
, C01G 23/00
, C01G 25/00
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 37/02
, H01L 41/08
FI (5件):
H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
, H01L 29/78 371
, H01L 41/08 Z
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開昭64-054785
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特開平4-184808
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特開平4-269859
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特開平2-064993
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半導体記憶装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-234588
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平4-368186
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特開昭61-231522
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