特許

J-GLOBAL ID：200903011952446409

ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法、及びその原料溶液

発明者： 青木 克裕 ,  福田 幸夫 ,  西村 明俊 ,  長尾 朝巳 ,  蜂谷 真一
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  株式会社トリケミカル研究所
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113973
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305713
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【構成】 ゾルーゲル原料溶液中でのジエタノール(DEA)の濃度をモル比で(DEA/総金属原子)>3と比較的高濃度として塗布、乾燥、酸化焼結を行うPb(Zr,Ti)O3 薄膜の形成方法と、その原料溶液。【効果】 450°C程度と比較的低温で酸化焼結を行っても、ペロブスカイト結晶構造のPb(Zr,Ti)O3 等の強誘電体薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

ゾルーゲル法によって強誘電体膜を形成するに際し、(a) 強誘電体膜の構成金属元素の有機金属化合物とアルカノールアミン及び/又はβ-ジケトンからなる安定剤とを含有し、この安定剤を総金属原子に対しモル比で(安定剤/総金属原子)>3の濃度で含有する原料溶液を調製する工程と;(b) この原料溶液を塗布する工程と;(c) この塗布された原料溶液を乾燥し、乾燥膜を形成する工程と;(d) この乾燥膜を焼結し、強誘電体膜化する工程と;を有する、ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法。

IPC (4件)：

C01B 13/32 ,  C04B 35/49 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/12 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-083817
  
• 特開平2-006335
  
• 特開平4-295013