特許
J-GLOBAL ID：200903011955056067
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233200
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085113
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】小信号半導体装置の外形寸法の小型化外形寸法精度の向上及び外部リードの曲り、折れ等の不具合を防止する。【構成】絶縁性フィルム上に印刷し形成された導体パターンにより半導体チップを挟み半導体チップ電極との接続を行ない、半導体チップとリード接続部を覆うように絶縁体及びコーティング樹脂を形成し、前記の絶縁性フィルムと絶縁体とにより形成されたスルーホール部側面に導体膜を付け、外部電極を形成した後、スルーホール及び半導体チップ間を切断することにより半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
導体膜が印刷された絶縁性フィルムにより半導体チップを上下から挟み各電極の接続を行い、前記半導体チップと電極接続部を覆うように絶縁体及びコーティング樹脂を形成した後、前記絶縁体と絶縁性フィルムにより形成される貫通穴の側面部の導体膜により外部電極を形成し、前記貫通穴部及び半導体チップ間を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/28
, H01L 21/60 321
