特許
J-GLOBAL ID：200903011960577822
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081972
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295909
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明はエレクトロマイグレーションによる配線抵抗の増大を低減し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 下層107が高融点金属で、上層109がアルミニウム等の金属で形成される積層配線105を有する半導体装置において、積層配線105下にダミーコンタクト111を設け、層間絶縁膜103を介さず基板と積層配線105が直接、接合するように構成した。これにより積層配線中で発生した熱が基板に放出され、エレクトロマイグレーション耐性が向上する。
請求項（抜粋）：
第1の領域と、第2の領域と、前記第1と第2の領域間の第3の領域を有する半導体基板と、前記第1の領域に電気的に接続される一端及び前記第2の領域に電気的に接続される他端を有し、下層が高融点の第1の金属で形成され、上層が第2の金属で形成された積層配線であって、前記一端と他端の間の中央部が前記半導体基板に接合される前記積層配線とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 N
, H01L 21/88 R
