特許

J-GLOBAL ID：200903011963537147

半導体集積回路装置

発明者： 冨上 健司 ,  下酉 和博
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245579
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081859
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 電源電圧以上にブーストされた信号のレベルを保持するための回路により消費される電力を低減することを目的とする。【構成】 電源電圧Vcc以上のレベルの信号を発生するブースト回路を備えたDRAMであって、ブーストされた信号のレベルが一定範囲以下になったことを検出するレベル検出回路と、レベル検出回路からの検出信号に応答して、ブースト回路からの信号を一定範囲内に保持するレベル保持回路とを含む。

請求項（抜粋）：

電源電圧以上のレベルの信号を発生するブースト回路を含む半導体集積回路装置であって、前記ブースト回路により発生された信号のレベルが一定範囲を超えたことを検出するレベル検出手段と、前記レベル検出手段の検出出力に応答して前記ブースト回路により発生された信号を一定範囲内に保持するレベル保持手段とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/10 325 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-153791
  
• 特開昭63-255897