特許
J-GLOBAL ID：200903011969989910
プラズマCVD法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211126
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051753
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、成膜反応に寄与するラジカル種の生成を妨げず、しかもダスト発生の原因となるラジカル種の発生を選択的に抑制して、所望の成膜速度を維持したまま、ダストの基板上成膜部への付着を抑制する。【構成】 原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、前記原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の高周波電力に1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳させた高周波電力を印加して行う。
請求項（抜粋）：
原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の高周波電力に1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳させた高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
