半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-166457
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014815
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】微細MISトランジスタのソース・ドレイン拡散層の浅接合化と低抵抗化積み上げ金属珪化膜構造とを、高信頼性を保持したまま実現させる。【解決手段】ソース・ドレイン拡散層(6,7)の表面領域の不純物(As,P,In,Sb)の濃度を5×1021/cm3以上に設定する。或いは、ソース・ドレイン拡散層(6,7)の表面領域上に、ゲルマニウムを20%以上含有するゲルマニウムと珪素の混合膜またはゲルマニウム膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基体上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側における上記半導体基体上に形成された第2導電型の一対の半導体領域を有する第2導電型の電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、上記半導体領域の少なくとも一部の表面領域の第2導電型の不純物濃度を5×1021/cm3以上に設定する第1工程と、上記不純物濃度設定がなされた表面領域を部分的に露出させる第2工程と、露出された表面領域上に珪素膜を形成する第3工程と、上記珪素膜上に高融点金属膜を形成する第4工程と、熱処理により、上記高融点金属膜を珪化する第5工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/417

FI (3件)：

H01L29/78 301S , H01L21/28 301S , H01L29/50 M

Fターム (53件)：

4M104AA01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F140AA10 , 5F140AA13 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD07 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH21 , 5F140BH39 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK19 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140BK23 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK40 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CF04

前のページに戻る