特許

J-GLOBAL ID：200903011973872173

半導体装置用基板の製造方法

発明者： 本吉 聡一郎 ,  井出 憲之 ,  小川 顕 ,  石井 俊明
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018024
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222888
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】面付けワーキング基板を用いて等倍露光でパターン露光する際、パターン露光時の位置ずれを極力抑えて、位置合わせ精度及びパターン再現性に優れた配線層等を有する半導体装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】面付けされたワーキング基板の絶縁基板11の両面に銅箔を積層して導体層12及びアライメントマークを形成し、導体層12上に感光層を形成し、等倍露光装置を用いて、単位露光領域毎の位置合わせ、パターン露光を行い、現像等の一連のパターニング処理して第1配線層12a、第1配線層12b及び単位露光領域31の両端にアライメントマークを形成する。感光性の絶縁樹脂をスピンナー等により塗布し、仮乾燥して絶縁感光層を形成し、上記と同様な方法で単位露光領域毎の位置合わせ、パターン露光を行い、絶縁層、ビアを形成し、上記の工程を所定回数繰り返して半導体装置用基板を得る。

請求項（抜粋）：

有機材料からなる絶縁基板上に直接あるいは導体層を介して形成された感光層を等倍露光法にて露光用フォトマスクを用いて露光、パターニングを行ってレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにしてエッチング処理等を行って配線層等を形成してなる半導体装置用基板の製造方法において、露光される部位を所望の単位露光領域に分割し、あらかじめ単位露光領域毎に形成された絶縁基板及び露光用フォトマスクに形成されたアライメントマークを読み取り、絶縁基板と露光用フォトマスクとのアライメントマークのずれ量を算出し、±0.1%の範囲で、拡大もしくは縮小露光を行ってパターニング処理を行って配線層等を形成することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。