特許

J-GLOBAL ID：200903011977185774

高耐圧パワーICの出力段回路

発明者： 澄田 仁志
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066761
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068540
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】トーテムポール回路の上アーム側のデバイスを駆動するレベルシフタ回路の駆動電源として従来不可欠とされた個別の別電源を不要とし、アーム短絡を起きにくく、逆電流を通電できる高耐圧パワーICの出力段回路を提供すること。【解決手段】定電流方式のレベルシフタ回路1aの出力端子26が高耐圧pチャネルMOSFETであるP1のゲート部21と接続し、P1のドレイン部22が高抵抗体R2を介してトーテムポール回路を構成する高電位側の高耐圧nチャネルMOSFETであるN1のゲート部23に接続し、トーテムポール回路2aは高電位側の高耐圧nチャネルMOSFETであるN1と低電位側の高耐圧nチャネルMOSFETであるN2で構成される。

請求項（抜粋）：

高電位側の高耐圧nチャネルMOSFETおよび低電位側の高耐圧nチャネルMOSFETによりトーテムポール回路が構成され、レベルシフト回路により、高電位側の高耐圧nチャネルMOSFETが駆動される高耐圧パワーICの出力段回路において、高電位側の高耐圧nチャネルMOSFETのゲート部と、前記レベルシフト回路の出力部との間に少なくとも高耐圧pチャネルMOSFETを介在させ、レベルシフト回路の出力部と高耐圧pチャネルMOSFETのゲート部とが接続され、高電位側の高耐圧nチャネルMOSFETのゲート部と高耐圧pチャネルMOSFETのドレイン部とが少なくとも第1抵抗体を介して接続され、前記高耐圧pチャネルMOSFETのソース部が電源の高電位側に接続されることを特徴とする高耐圧パワーICの出力段回路。

IPC (4件)：

H03K 17/687 ,  H03F 1/52 ,  H03K 5/02 ,  H03K 17/10

FI (4件)：

H03K 17/687 F ,  H03F 1/52 Z ,  H03K 5/02 L ,  H03K 17/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-029115
  
• 特開平2-029115
  
• 特開平1-288010
  
• 特開平1-288010