特許
J-GLOBAL ID：200903011978328838
半導体ダイヤモンドの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186076
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029244
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 熱処理に依って回復可能な低損傷のイオン打ち込みによるp型、n型の半導体ダイヤモンドの製造方法を提供する。【構成】 ダイヤモンド結晶1の例えば<110>方向に炭素以外の粒子2をイオン打ち込みする。ダイヤモンドの(110)面は原子同士の間隙が大きくこの間隙を照射されたイオンがチャンネリングして打ち込まれる。このようにして<110>方向にイオン打ち込みされたダイヤモンドを、1400°Cの熱処理を施すことにより、損傷はコンペンセートされ、打ち込まれたイオンは格子位置に入り半導体ダイヤモンドとして機能する。同様なチャンネリングは<100>、<121>方向についても確認された。
請求項（抜粋）：
加速された炭素以外の粒子を、ダイヤモンドの<110>、<100>、<121>方向などのチャンネリング方向に照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。
IPC (2件)：
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