特許
J-GLOBAL ID：200903011980272173
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122777
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318138
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 インゴットの切断効率および切断精度を高め、これによりその後のラップ工程でのラップ量が低減する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 インゴットIの切断時、ワイヤ11aの1分間当たりの往復走行回数を8回以上とする。これにより、インゴットIに対しての単位時間当たりの遊離砥粒の研削作用が大きくなる。その結果、インゴットIの切断効率および切断精度が高まる。よってシリコンウェーハの厚さムラおよび反りの発生が抑制され、後のラップ工程でのラップ量を低減することができる。
請求項（抜粋）：
複数本のグルーブローラ間に架け渡されたワイヤを往復走行させ、遊離砥粒を含む砥液を供給しながら、インゴットをワイヤに相対的に押しつけて、前記遊離砥粒の研削作用により、前記インゴットを切断するインゴット切断工程と、該インゴット切断工程により得られた半導体ウェーハの表裏両面をラッピングするラップ工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法において、前記インゴット切断時、前記ワイヤを8回/分以上往復走行させる半導体ウェーハの製造方法。
引用特許：
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