特許

J-GLOBAL ID：200903011984004688

半導体装置

発明者： 福本 晴継 ,  市川 浩司 ,  浅井 昭喜 ,  松本 宗昭
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152365
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018009
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 単一電源にてMOSFETに電圧を印加するとともに同MOSFETのしきい値電圧を制御することが可能となる半導体装置を提供することにある。【構成】 単結晶シリコン基板1上に埋め込み絶縁体層2を介してSOI層3,4が形成されている。SOI層3にはNチャネルMOSFET7が形成され、SOI層4にはPチャネルMOSFET10が形成されている。単結晶シリコン基板1上に埋め込み絶縁体層2を介してSOI層12,13が形成され、SOI層12にはNチャネルMOSFET16が形成され、SOI層13にはPチャネルMOSFET19が形成されている。MOSFET16,19にてバイアス電圧回路21が構成され、バイアス電圧回路21にてバイアス電圧が生成され、配線25を通して単結晶シリコン基板1にバイアス電圧が印加される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁体層を介して単結晶半導体層からなるMOSFETが配置され、少なくとも当該MOSFETのチャネル領域に対向した前記絶縁体層内あるいは前記半導体基板に電極を配置し、当該電極にバイアス電圧を印加するようにした半導体装置において、前記半導体基板上に絶縁体層を介して単結晶半導体層からなるバイアス電圧回路を形成し、当該バイアス電圧回路により前記バイアス電圧を生成するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-071806   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-023659