特許
J-GLOBAL ID：200903011984206736
半導体製造装置及びウエハー研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-071544
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 均一に研磨でき、かつ半導体基板に対する研磨部材の荷重圧力を低下させることができる半導体製造装置及びウエハー研磨方法を提供すること。【解決手段】 ウエハーホルダー22に固定した半導体基板23上に一対の円筒形ドラム24a,24bを設け、半導体基板23がドラム24a,24bに一定の圧力で接触した状態で研磨液27a,27bをその接触面に向って噴射させると同時にドラム24a,24b及びウエハーホルダー22を回転させ、かつドラム24a,24bを横方向に往復運動させながら半導体基板23の表面を研磨する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面を研磨して平坦化する半導体製造装置において、第1回転力を発生する第1モータと、第2回転力を発生する第2モータと、前記第1回転力によって一定方向に回転され、半導体基板を固定するウエハーホルダーと、前記ウエハーホルダーに固定された半導体基板表面に直線状に接触し、前記第2回転力によって一定方向に回転される研磨部材と、前記研磨部材を半導体基板上で往復運動させる駆動部と、前記半導体基板と前記研磨部材の接触面に向って研磨液を噴射する研磨液噴射ノズルとを具備し、前記半導体基板が前記研磨部材に一定の圧力で接触した状態で前記研磨液がその接触面に向って噴射されると同時に前記研磨部材及び前記ウエハーホルダーが回転されて前記研磨部材が前記半導体基板の表面を研磨することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
B24B 1/00
, B24B 37/00
, H01L 21/304 321
B24B 1/00 A
, B24B 37/00 Z
, H01L 21/304 321 E
