特許

J-GLOBAL ID：200903011986108456

ClF3処理筒、及びClF3を含む被処理ガスの処理方法

発明者： 中山 和樹 ,  後藤田 一徳 ,  丸藤 哲暁 ,  三平 博
出願人/特許権者： 株式会社巴商会
代理人 (1件)： 高畑 靖世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314063
公開番号（公開出願番号）：特開2000-117053
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造用CVD装置等の清掃の際に排出される、ClF3を含む被処理ガスを無害化処理する。【解決手段】 処理筒2内に被処理ガスの入口6側から出口14側に向かって、少なくともソーダライム等のアルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層8と、酸化第二鉄等の鉄酸化物からなる第1化学処理層10と、及び水酸化カルシウム等のアルカリ塩粒子からなる第2化学処理層12とを設けた多層式処理筒を用いて、ClF3含有被処理ガス4を無害化する。

請求項（抜粋）：

被処理ガスの入口と出口とを備えた処理筒であって、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出口側に向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層と、鉄酸化物からなる第1化学処理層と、及びアルカリ塩粒子からなる第2化学処理層とを設けてなることを特徴とする多層式ClF3処理筒。

IPC (2件)：

B01D 53/68 ,  A62D 3/00

FI (3件)：

B01D 53/34 134 A ,  A62D 3/00 ,  B01D 53/34 134 C

Fターム (20件)：

2E191BA01 ,  2E191BB00 ,  2E191BC01 ,  2E191BD01 ,  2E191BD11 ,  4D002AA18 ,  4D002AA22 ,  4D002AC10 ,  4D002BA03 ,  4D002BA04 ,  4D002CA07 ,  4D002DA02 ,  4D002DA05 ,  4D002DA11 ,  4D002DA12 ,  4D002DA16 ,  4D002DA22 ,  4D002EA03 ,  4D002GA02 ,  4D002GB02