特許
J-GLOBAL ID:200903011986108456
ClF3処理筒、及びClF3を含む被処理ガスの処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高畑 靖世
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-314063
公開番号(公開出願番号):特開2000-117053
出願日: 1998年10月16日
公開日(公表日): 2000年04月25日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造用CVD装置等の清掃の際に排出される、ClF3を含む被処理ガスを無害化処理する。【解決手段】 処理筒2内に被処理ガスの入口6側から出口14側に向かって、少なくともソーダライム等のアルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層8と、酸化第二鉄等の鉄酸化物からなる第1化学処理層10と、及び水酸化カルシウム等のアルカリ塩粒子からなる第2化学処理層12とを設けた多層式処理筒を用いて、ClF3含有被処理ガス4を無害化する。
請求項(抜粋):
被処理ガスの入口と出口とを備えた処理筒であって、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出口側に向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層と、鉄酸化物からなる第1化学処理層と、及びアルカリ塩粒子からなる第2化学処理層とを設けてなることを特徴とする多層式ClF3処理筒。
IPC (2件):
FI (3件):
B01D 53/34 134 A
, A62D 3/00
, B01D 53/34 134 C
Fターム (20件):
2E191BA01
, 2E191BB00
, 2E191BC01
, 2E191BD01
, 2E191BD11
, 4D002AA18
, 4D002AA22
, 4D002AC10
, 4D002BA03
, 4D002BA04
, 4D002CA07
, 4D002DA02
, 4D002DA05
, 4D002DA11
, 4D002DA12
, 4D002DA16
, 4D002DA22
, 4D002EA03
, 4D002GA02
, 4D002GB02
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