特許

J-GLOBAL ID：200903012016780115

プラズマシリコン窒化膜をもつ半導体装置の製造方法

発明者： 石田 隆司
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-334172
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235615
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 EPROMのデータ消去用紫外線光を透過できるシリコン窒化膜を形成する。【構成】 紫外線吸収特性の吸収端波長は(Si-H)/(N-H)比と強い相関関係を持っており、この比が0.6以下になれば紫外線消去型EPROM用のオーバーコート膜として利用できる240〜250nm以下の吸収端波長特性をもつ。

請求項（抜粋）：

紫外線消去型EPROMを形成した後、そのオーバーコート膜としてシリコン窒化膜をプラズマCVD法により形成する半導体装置の製造方法において、そのシリコン窒化膜中のSi-H結合とN-H結合の濃度比(Si-H)/(N-H)が0.6以下となるようにプラズマCVD法の反応条件を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 N