特許
J-GLOBAL ID：200903012017582171
擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080893
公開番号（公開出願番号）：特開2009-237081
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製する方法を提供する。【解決手段】同じ結晶方位を持つGaAsのプレート21,22を、真空チャンバー11内に設置された第1及び第2の試料ホルダー12,13に、プレート面内の[001]方向が互いに180°異なるように取付け、真空中にて、Arビームを上記プレート21,22の表面21a,22aに所定時間照射して、上記表面21a,22aをエッチングして活性化処理した後、上記表面21aと上記表面22aとを常温にて密着させて接合し、上記プレート21と上記プレート22とを常温接合する、という動作を繰り返して、複数のプレートが、隣接するプレート同士の面内の[001]方向が互いに180°異なるように接合されたGaAs波長変換デバイスを作製するようにした。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
空間反転対称性を有しない化合物の単結晶から成る同じ結晶方位を持つ2枚のプレートを、プレート面内の結晶方位が180°反転するように対向させて設置してから、これら2枚のプレートの表面に原子ビーム、分子ビーム、もしくは、イオンビームを照射して上記表面を活性化処理する第1のステップと、上記活性化処理されたプレートの表面同士を常温にて密着させて接合する第2のステップと、上記常温接合されたプレートと上記化合物から成る活性化処理されていない同じ結晶方位を持つプレート、もしくは、上記第1及び第2のステップにより常温接合された2枚のプレート同士を、プレート面内の結晶方位が180°反転するように対向させて設置し、これら2枚のプレートの表面を活性化処理する第3のステップと、上記活性化処理された表面同士を常温接合する第4のステップとを備えたことを特徴とする擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA02
, 2K002CA13
, 2K002DA02
, 2K002FA27
, 2K002FA29
, 2K002GA04
, 2K002HA18
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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引用文献：
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