特許
J-GLOBAL ID:200903012019892640

高周波マルチチップモジュ-ル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-371060
公開番号(公開出願番号):特開2000-195988
出願日: 1998年12月25日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 高周波信号の挿入損失及びI/Oポート部での反射損失が小さく、且つグランド遷移がなく、また気密封止構造であり、更に配線収容能に優れた高周波マルチチップモジュールを提供する。【解決手段】 セラミック基板10の第1面側にコプレーナ配線路11を配置し、第2面側に端子(I/Oポート)13及び多層配線路14を形成する。また、セラミック基板10に気密ビア5を設けて、コプレーナ配線路11と端子13及び多層配線路14等とを電気的に接続する。更に、基板10の第2面側にマイクロストリップ配線路の信号線を配置し、該マイクロストリップ配線路の接地パターンをコプレーナ配線路11の接地パターンと共通とする。ギガヘルツ帯の信号を取り扱う半導体チップ(MMIC15)をコプレーナ配線路11に接合し、キャップ17により気密封止する。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板の第1面側に形成されたコプレーナ配線路と、前記基板の第2面側に形成された多層配線路と、前記基板に設けられて前記コプレーナ配線の一部と前記多層配線路の一部とを電気的に接続する気密ビアと、前記コプレーナ配線路に接合された複数の半導体チップと、前記基板の前記第1面側に接合されて前記複数の半導体チップを気密封止するキャップとを有することを特徴とする高周波マルチチップモジュール。
IPC (4件):
H01L 23/12 301 ,  H01L 23/522 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/52 B ,  H01L 25/04 Z
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る