特許
J-GLOBAL ID:200903012019947916
リチウム二次電池およびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
米澤 明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-198221
公開番号(公開出願番号):特開2002-015728
出願日: 2000年06月30日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】 デンドライトが生成せず、サイクル寿命が良好なリチウム二次電池を提供する。【解決手段】 導電性基体上に真空成膜によって形成したリチウム金属、もしくはアモルファス金属リチウムの表面に疎水性物質層が形成されているリチウム金属もしくはリチウム合金を負極としたリチウム二次電池。
請求項(抜粋):
リチウム金属またはリチウム合金を負極としたリチウム二次電池において、リチウム金属もしくはリチウム合金の表面に疎水性物質層が形成されていることを特徴とするリチウム二次電池。
IPC (3件):
H01M 4/02
, H01M 4/62
, H01M 10/40
FI (3件):
H01M 4/02 D
, H01M 4/62 Z
, H01M 10/40 Z
Fターム (30件):
5H029AJ05
, 5H029AK03
, 5H029AL12
, 5H029AM03
, 5H029AM07
, 5H029BJ13
, 5H029CJ13
, 5H029CJ24
, 5H029DJ08
, 5H029DJ18
, 5H029EJ11
, 5H050AA07
, 5H050AA15
, 5H050BA16
, 5H050CA07
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB12
, 5H050DA03
, 5H050DA09
, 5H050EA21
, 5H050EA22
, 5H050EA24
, 5H050EA26
, 5H050EA29
, 5H050FA04
, 5H050FA20
, 5H050GA13
, 5H050GA22
, 5H050GA24
引用特許: