特許
J-GLOBAL ID：200903012022133350
波長可変半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011270
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221403
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 ゲインの波長依存性が平坦となり、波長可変幅の広い波長可変半導体レーザを得る。【構成】 層厚の互いに異なる複数の種類のウエル層4,5,6を有し、各々、層厚の異なる複数のウエル層4,5,6を層厚の順に配置してなる,複数組の半導体積層構造を、周期的に配置してなる量子井戸構造を、その活性層に有する構造とした。
請求項（抜粋）：
複数の波長のレーザ光を発生可能な活性層を有する波長可変半導体レーザにおいて、層厚の互いに異なる複数の種類のウエル層を含む量子井戸構造の活性層を有し、かつ上記複数の種類のウエル層の配列順序を、該活性層における利得の波長依存性が低減されるような配列順序としたことを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2件)：
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