特許

J-GLOBAL ID：200903012023947386

強誘電体薄膜素子およびその製造方法

発明者： 櫻 井 敦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067650
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 配向性の優れたペロブスカイト酸化物の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子と、その製造方法を得る。【解決手段】 強誘電体薄膜素子10は単結晶基板12を含み、単結晶基板12上に、スパッタリングなどによって導電性薄膜14を形成する。導電性薄膜14上に、MOCVD法などによって、強誘電体薄膜16を形成する。強誘電体薄膜16は、導電性薄膜14から膜厚方向に向かって組成が変化した第1の層18を含み、第1の層18上に組成が一定の第2の層20を形成する。第1の層18と第2の層20との境界部においては、第1の層18の組成と第2の層20の組成とがほぼ同じとなるようにする。第1の層18を形成するときには、組成比率を変化させながら誘電体原料を導電性薄膜14上に供給する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板、前記単結晶基板上に形成される導電性薄膜、および前記導電性薄膜上に形成されるペロブスカイト構造を有する酸化物の配向性強誘電体薄膜を含み、前記配向性強誘電体薄膜は、前記導電性薄膜界面から膜厚方向に向かって組成が漸次変化する第1の層と、前記第1の層の上に形成される組成が一定の第2の層とで形成され、前記第1の層と前記第2の層との境界部において前記第1の層の組成と前記第2の層の組成とがほぼ等しい、強誘電体薄膜素子。

IPC (9件)：

H01B 3/12 303 ,  C30B 29/32 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/187

FI (7件)：

H01B 3/12 303 ,  C30B 29/32 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/18 101 D

Fターム (33件)：

4G077AA03 ,  4G077BC43 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  5F038AC06 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5G303AA01 ,  5G303AA03 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB06 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB20 ,  5G303CB25 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01