特許
J-GLOBAL ID：200903012034695826
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010718
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221364
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果素子において、センス電流経路のうち膜法線方向の電流経路の割合を多くして磁気抵抗変化率を大きくすると共に、人工格子膜の膜厚を大きくせずに、磁気抵抗効果膜の抵抗値の増大を図ること。【構成】 磁気抵抗効果素子は、積層単位膜10を2回以上積層した人工格子膜の磁気抵抗効果膜100と、磁気抵抗効果膜100の下面の一部に被着した下部電極膜20aと、磁気抵抗効果膜100の上面の一部で下部電極膜20aに対して磁気抵抗効果膜100のオフセット部分21を隔てて被着された上部電極膜20bと、磁気抵抗効果膜100のオフセット部分21において表面から形成された膜平面分離溝22とを有している。電流経路の中には交叉状ハッチングで示す膜法線方向の電流経路L1 が含まれており、その抵抗断面積は膜平面分離溝22によって分割された一方の膜分割面積S1 である。
請求項（抜粋）：
磁性膜と非磁性層膜を少なくとも含む積層単位膜を2回以上積層した人工格子膜の磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜の下面又は上面の一方を第1の面とし、その他方の面を第2の面とすると、第1の面の一部領域に形成された第1の電極膜と、第2の面で前記第1の電極膜に対して前記磁気抵抗効果膜のオフセット領域をおいて形成された第2の電極膜と、前記オフセット領域において前記第1の面に開口し、前記積層単位膜の膜法線方向に形成された第1の膜平面分割溝と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 41/14
, H01L 43/12
