特許
J-GLOBAL ID：200903012035116730
電界放出型陰極及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-262389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102640
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 FEAの電流密度向上のためのエミッタの更なる高密度化を図ることであり、特に0.1μm程度のマスクを容易に形成しうる方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板内に不純物として存在する酸素を、加熱することにより酸化珪素に変化させ、該酸化珪素をマスクとして異方性エッチングによりエミッタ電極を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に鋭利な先端から電子を放出するエミッタを有する電界放出型陰極の製造方法において、(1)前記シリコン基板中に絶縁層を形成する工程、(2)前記シリコン基板を熱処理することにより、基板中に含まれる格子間酸素を酸化珪素の核に成長させる工程、(3)前記酸化珪素の核をマスクとして、前記シリコン基板をエッチングする工程、とを有してなる電界放出型陰極の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
