特許

J-GLOBAL ID：200903012047073018

パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

発明者： 保田 直紀 ,  豊島 利之 ,  石橋 健夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201610
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033983
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 露光波長限界を超えるパターン形成を可能とするパターン形成方法を得る。【解決手段】 第1のネガ型レジストパターン6aの表面部を剥離液により溶解除去して第2のネガ型レジストパターン8を形成する。

請求項（抜粋）：

ネガ型レジスト膜を露光し現像して第1のネガ型レジストパターンを形成し、この第1のネガ型レジストパターンを部分的に除去して第2のネガ型レジストパターンを形成するパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 572 Z

Fターム (28件)：

2H025AA02 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA28 ,  2H025FA33 ,  2H025FA48 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096EA07 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19 ,  5F046MA06