特許

J-GLOBAL ID：200903012047890806

不揮発性半導体記憶装置および書込み方法

発明者： 吉田 敬一 ,  久保埜 昌次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180859
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027486
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。また、書込みの際にしきい値をずらしたいすべてのメモリセルに対して書込みパルスを印加するため、書込み時のピーク電流が増大するともに平均消費電力も多くなるという課題があった。【解決手段】 複数のしきい値を設定して1つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行なうようにした。

請求項（抜粋）：

メモリセルのしきい値を2段階以上に設定するとともに、ワード線のレベルを2段階以上に変化させてメモリセルの読み出しを行なうことで一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶させるように構成された不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行なうようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書込み方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234767   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-059886
  
• 特開昭62-006493