特許

J-GLOBAL ID：200903012056303670

有機金属気相成長法

発明者： 河合 弘治 ,  ヤン・ルベレゴ ,  富岡 聡
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-317383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147237
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】基板加熱温度を変更することなく、基板水平方向あるいは基板垂直方向への化合物半導体結晶層の成長を任意に制御することができる選択成長技術に基づくMOCVD法を提供する。【構成】MOCVD法は、GaAsから成る基板10の(111)B面上に、基板水平方向に{110}面を有しそして基板垂直方向に(111)面を有し、且つ少なくともGa元素及びAs元素を含む化合物半導体結晶層20を成長させる方法であって、基板垂直方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリエチルガリウムを使用し、基板水平方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリメチルガリウムを使用しそしてAs原料ガスとしてトリメチルヒ素を使用し、且つAs原料ガス/Ga原料ガスの分圧比を100以上とする。

請求項（抜粋）：

GaAsから成る基板の(111)B面上に、基板水平方向に{110}面を有しそして基板垂直方向に(111)面を有し、且つ少なくともGa元素及びAs元素を含む化合物半導体結晶層を成長させる有機金属気相成長法であって、基板垂直方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリエチルガリウムを使用し、基板水平方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリメチルガリウムを使用しそしてAs原料ガスとしてトリメチルヒ素を使用し、且つAs原料ガス/Ga原料ガスの分圧比を100以上とすることを特徴とする有機金属気相成長法。