特許
J-GLOBAL ID：200903012057253430
記憶装置の記録方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-123839
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299436
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】消費電力の増大を抑制することや、動作マージンを充分に確保することを可能にする、記憶装置の記録方法を提供する。【解決手段】可変抵抗素子から成るメモリセルC1〜C12を複数有する記憶装置に対して、情報(ワード10等)を記録する際に、高抵抗状態に記録されるメモリセルの個数が、低抵抗状態に記録されるメモリセルの個数よりも多くなるように、符号化して記録を行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
抵抗値が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、前記可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有する記憶装置に対して、情報を記録する方法であって、
前記高抵抗状態に記録されるメモリセルの個数が、前記低抵抗状態に記録されるメモリセルの個数よりも多くなるように、符号化して記録を行う
ことを特徴とする記憶装置の記録方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C11/15 140
, H01L27/10 451
, G11C11/15 160
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA37
, 5F083JA60
