特許

J-GLOBAL ID：200903012063182706

誘導結合プラズマを有するチャンバ内でのスパッタ中に、側壁カバレージを増加する方法及び装置

発明者： ゼン スー ,  ゴングダ ヤオ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015773
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223567
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 側壁部及び底部の両方のカバレージが増加した層をスパッタ堆積する。【解決手段】 誘導結合プラズマチャンバ内で残りのメタルコンタクト層の堆積に先立ってぬれ層を形成するために、比較的高純度のアルミニウム層をプラズマ発生装置によってスパッタする。ぬれ下層を形成するために比較的高純度のアルミニウムをスパッタすることによって、ぬれ層のディウエッティングの発生がかなり低減される。その結果、基板内の、チャネル、バイア及び他の高アスペクト比の開口部、並びに側壁を有する構造の側壁のカバレージが改善され、上層のボイドの形成がかなり低減される。

請求項（抜粋）：

側壁を有するワークピース構造に材料層をスパッタ堆積するための方法であって、ワークピースに向かってアルミニウムターゲット材料をスパッタするために、少なくとも99.99%のアルミニウムである前記材料のターゲットをスパッタするステップと、前記ワークピース上に下層を形成するために、前記スパッタされたターゲット材料の一部分を、前記ワークピース上に堆積する前にイオン化するステップと、第2のメタル層を前記下層に堆積するステップと、を備える方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 21/285 S ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-175864
  
• 特開平3-240944
  
• 特開平2-216822
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080641   出願人：富士ゼロックス株式会社