特許

J-GLOBAL ID：200903012064170744

磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置

発明者： 中谷 亮一 ,  竹内 輝明 ,  鈴木 良夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055757
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246623
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】電気抵抗率が高く、低い磁界では磁気抵抗効果を生じないなどの問題を有する酸化物マトリックス中に磁性体クラスターの分散した材料、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物材料を用いた高磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子と、これを用いた高感度な磁気ヘッド、磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜が酸化物あるいは窒化物のマトリックス中に磁性体からなるクラスタ-が分散している磁気抵抗効果材料を磁気抵抗効果膜に用い、磁気抵抗効果膜の厚さ方向に磁気抵抗効果素子の電極を配置することにより、センス電流を磁気抵抗効果膜の厚さ方向に流した。【効果】センス電流を磁気抵抗効果膜の厚さ方向に流すことにより、素子の電気抵抗を低減した。また、磁気抵抗効果膜の大きさを適正化することにより、高い磁気抵抗変化量を得た。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果膜の厚さ方向に、電極、磁気抵抗効果膜、電極がこの順に積層され、上記磁気抵抗効果膜が酸化物あるいは窒化物のマトリックス中に磁性体からなるクラスターが分散している磁気抵抗効果材料からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/02 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/02 U ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10