特許
J-GLOBAL ID：200903012064669048
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076075
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268568
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶装置でのメモリセルから情報を読み出す場合又はメモリセルに情報を書きこむ場合のアクセス速度を損なうことなく,半導体記憶装置の消費電力を従来と比較して減少させることが可能となる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 アドレス信号からの情報を入力して,所望のセンスアンプ回路をオンオフさせしめる信号をすべてのセンスアンプ回路に出力する起動回路を有して成ることによる。
請求項（抜粋）：
アドレス信号からの情報を入力して,所望のセンスアンプ回路をオンオフさせしめる信号をすべてのセンスアンプ回路に出力する起動回路を有して成ることを特徴とする半導体記憶装置。
Fターム (7件)：
5B024AA01
, 5B024AA15
, 5B024BA05
, 5B024BA09
, 5B024BA18
, 5B024BA21
, 5B024CA07
