特許

J-GLOBAL ID：200903012068615767

半導体イオンセンサ

発明者： 山田 周吾
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327733
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131273
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】 熱可塑性ポリマーでイオン感応膜を形成するにあたって、長期間安定して使用することができる半導体イオンセンサを提供する。【解決手段】 ゲート酸化膜4の表面にイオン感応膜11を備えた半導体イオンセンサに関する。可塑剤とイオン感応成分を含有する架橋性の熱可塑性ポリマーでイオン感応膜11を形成する。熱可塑性ポリマーを架橋して三次元構造にすることによって、イオン感応膜11が破壊されたりゲート酸化膜4から剥離したりすることを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

ゲート酸化膜の表面にイオン感応膜を設けた半導体イオンセンサにおいて、可塑剤とイオン感応成分を含有する架橋性の熱可塑性ポリマーでイオン感応膜を形成して成ることを特徴とする半導体イオンセンサ。