特許
J-GLOBAL ID：200903012072320658
表面波装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-224172
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 漏洩弾性表面波の基本モードを利用した表面波装置であり、温度特性TCDに優れ、かつ電気機械結合係数kの大きな表面波装置を提供する。【解決手段】 水晶基板上に圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜に接するようにIDT電極を形成してなり、水晶基板として群遅延時間温度特性TCDがマイナスの値をもつカット角及び伝搬方向の水晶基板1が用いられており、圧電薄膜2が、漏洩弾性表面波の基本モードを励振し得る厚みに形成されていることを特徴とする表面波装置4。
請求項（抜粋）：
水晶基板と、前記水晶基板上に形成された圧電薄膜と、前記圧電薄膜に接するように形成されたインターデジタル電極とを備え、前記水晶基板として、群遅延時間温度特性TCDがマイナスの値をもつカット角及び伝搬方向の水晶基板が用いられており、かつ前記圧電薄膜が、漏洩弾性表面波の基本モードを励振し得る厚みに形成されており、該漏洩弾性表面波の基本モードを利用したことを特徴とする、表面波装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/145 C
, H03H 9/25 C
