特許

J-GLOBAL ID：200903012083460257

絶縁膜の形成方法

発明者： 池田 直史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153492
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 酸化シリコン膜面上では堆積成膜による窒化シリコン膜の着膜状態が不安定であり、膜厚及び膜質が均一な窒化シリコン膜を成膜できない。【解決手段】 基板10上に下層酸化シリコン膜11を成膜し、この上にシリコン膜12を成膜する。シリコン膜12を熱窒化することによって、下層酸化シリコン膜11上にシリコン膜12を窒化してなる第1窒化シリコン膜12aを成膜する。CVD法によって、第1窒化シリコン膜12a上に第2窒化シリコン膜13を成膜する。第2窒化シリコン膜13上に上層酸化シリコン膜15を成膜し、下層酸化シリコン膜11上に第1窒化シリコン膜12aを介して第2窒化シリコン膜13を堆積成膜してなる絶縁膜16を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜された下層酸化シリコン膜上に、シリコン膜を成膜する第1工程と、前記シリコン膜を窒化することによって、前記下層酸化シリコン膜上に当該シリコン膜を窒化してなる第1窒化シリコン膜を成膜する第2工程と、堆積成膜法によって、前記第1窒化シリコン膜上に第2窒化シリコン膜を成膜する第3工程とを備えたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371