特許
J-GLOBAL ID：200903012083669334
SiC製ウエハラッププレート
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151010
公開番号（公開出願番号）：特開平6-320415
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性・耐熱衡撃性に優れ半導体ウエハの大口径化及び高精度化に対応することができ、しかも耐酸化性及び耐アルカリ性にも優れていて高品質の半導体ウエハを製造可能なSiCラッププレートを提供する。【構成】 半導体ウエハの研磨に用いるSiCウエハラッププレートにおいて、0.05〜0.15重量%のホウ素を焼結助剤として用いたことを特徴とするSiCウエハラッププレート。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの研磨に用いるSiCウエハラッププレートにおいて、0.05〜0.15重量%のホウ素を焼結助剤として用いたことを特徴とするSiCウエハラッププレート。
IPC (2件)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
