半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121657
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333869
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の表面に拡散層を形成するために用いられる導電層の電気的特性の面内ばらつきを抑制し、各拡散層毎に形成される素子の電気的特性の均一化を図り、製造歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】不純物が含まれるポリシリコン層28を、半導体基板20の表面に、薄膜26を介して接触させ、熱処理することにより、ポリシリコン層28に含まれる不純物を半導体基板20の表面に拡散させ、この導電層28をそのまま電極層として用い、薄膜26の膜厚を0.6〜2nmとする半導体装置の製造方法。薄膜26は、半導体基板20の表面をウェット酸化して得られる酸化シリコン膜である。ポリシリコン層28には、イオン注入法により不純物がドープされ、そのイオン注入時の射影飛程が、ポリシリコン層28の膜厚の中心よりも表面側に位置するように、イオン注入時のエネルギーを設定する。拡散用熱処理の温度が900〜1100°Cであり、熱処理時間が10〜60分であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

不純物が含まれる導電層を、半導体基板の表面に、薄膜を介して接触させ、熱処理することにより、導電層に含まれる不純物を半導体基板の表面に拡散させ、この導電層をそのまま電極層として用いる半導体装置の製造方法であって、上記薄膜の膜厚を0.6〜2nmとする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/225 , H01L 21/265 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 21/265 P , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-208829
特開平4-237118
特開昭61-208829

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