特許

J-GLOBAL ID：200903012096836698

半導体レーザダイオードの製造方法

発明者： 早藤 紀生
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216114
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037079
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 リッジサイド上の上クラッド層厚みを精密に制御できるリッジ型レーザダイオードの容易な製造方法を得る。【構成】 上クラッド層4上に連続してキャップ層5をエピタキシャル成長した後、キャップ層を順メサ形状に、上クラッド層をリッジ以外の領域を全て除去するように逆メサ形状に加工してリッジを形成し、該リッジが形成されたウェハ上に、順メサの側面には結晶成長が生じない条件で所望の層厚の再成長上クラッド層及びブロック層を連続的に結晶成長し、これに連続して順メサの側面にも結晶成長が生じる条件でコンタクト層を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

第1種半導体からなる活性層を該活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きな第2種半導体からなる下クラッド層と、第2種もしくは第3種半導体からなる上クラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を有する半導体レーザダイオードを製造する方法において、上記下クラッド層,活性層,上クラッド層及び第4種半導体からなるキャップ層を順次エピタキシャル成長させる工程と、上記キャップ層を選択的な異方性エッチングにより順メサ形状に加工し、さらに露呈した上クラッド層を選択的な異方性エッチングにより活性層上に所定の厚さの上クラッド層が残るように除去して上記上クラッド層を順メサ形状のキャップ層下に逆メサを有する形状に加工することによりリッジを形成する工程と、上記リッジを形成したウェハ上に、順メサ加工されたキャップ層側面には結晶成長が生じない条件で、選択的に上クラッド層と逆の導電性を有する電流ブロック層をエピタキシャル成長させる工程と、上記電流ブロック層のエピタキシャル成長に連続して、順メサ加工されたキャップ層側面にも結晶成長が生じる条件で、第4種半導体からなる電極形成用のコンタクト層をエピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。