特許

J-GLOBAL ID：200903012097891889

表面評価装置

発明者： 片岡 俊彦
出願人/特許権者： 株式会社シリコンテクノロジー ,  片岡 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150584
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340811
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 試料表面上の異物や微細な凹凸、構造や組成の変化を、広い範囲で識別でき、短時間かつ容易に、高精度に測定できる、非破壊測定可能な表面評価装置を提供。【解決手段】 アルゴンイオンレーザー6から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター8、1/2波長板9、走査用X-Yスキャナー7、集光レンズ10を経た後、偏光面調整された照射光1となり、シリコンウェーハ試料3表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。試料3表面からの散乱光は、結像レンズ4を経て、CCD5に入り、電気信号に変換され、パソコン11により、画像処理され、モニター12に、散乱光強度分布に応じたCCD画像を表示する。このCCD画像を記録、解析することにより、種々の試料の表面の測定、評価ができる。

請求項（抜粋）：

反射光が最小となる入射角度の照射光を、試料表面に照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有することを特徴とする表面評価装置。

IPC (3件)：

G01N 21/956 ,  G01B 11/30 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/956 A ,  G01B 11/30 A ,  H01L 21/66 J

Fターム (47件)：

2F065AA49 ,  2F065AA54 ,  2F065BB02 ,  2F065DD03 ,  2F065DD04 ,  2F065FF42 ,  2F065GG04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL21 ,  2F065LL29 ,  2F065LL35 ,  2F065MM16 ,  2F065QQ43 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB07 ,  2G051BB09 ,  2G051BC06 ,  2G051CA03 ,  2G051CB05 ,  2G051CC07 ,  2G051CC09 ,  2G051DA07 ,  2G051EA11 ,  2G051EB01 ,  2G051EC02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA06 ,  4M106CA42 ,  4M106CA43 ,  4M106DB02 ,  4M106DB04 ,  4M106DB08 ,  4M106DB12 ,  4M106DB13 ,  4M106DB14 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ23