特許
J-GLOBAL ID:200903012100960315
気相成長装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉浦 正知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-242466
公開番号(公開出願番号):特開平11-080959
出願日: 1997年09月08日
公開日(公表日): 1999年03月26日
要約:
【要約】【課題】 大面積基板上に均一な薄膜を長時間にわたって安定に成膜することができ、薄膜の歩留まりの向上を図ることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】 原料ガスを通すための多数のスルーホール4aを有するシャワープレート4を備えたCVD装置において、シャワープレート4の原料ガスの供給側のスルーホール4aの周囲に突出部4bを設ける。突出部4bの断面形状は例えば三角形または長方形とする。突出部4bの高さは例えば1〜10mmとする。
請求項(抜粋):
原料ガスを通すための複数の貫通穴を有するシャワープレートを備えた気相成長装置において、上記シャワープレートの上記原料ガスの流入側の上記貫通穴の周囲に突出部が設けられていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件):
C23C 16/44
, C23C 16/18
, H01L 21/31
FI (3件):
C23C 16/44 D
, C23C 16/18
, H01L 21/31 B
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