特許
J-GLOBAL ID：200903012103828043
ドライエッチング方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203999
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049667
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【構成】 真空下の反応室2内で半導体基板9をエッチングすると同時に、又はエッチング後のいづれかに、前記反応室2内を加熱するドライエッチング方法。【効果】 ドライエッチング工程中に発生する、チャージアップしたパーティクルや反応室2内壁及びウェハ等の放電を促進して、パーティクルの反応室2内壁やウェハへの付着を防止することができる。従って、真空中に発生するパーティクルがウェハに付着するのを防止することにより、そのウェハを用いるデバイスの劣化を防止することができるとともに、ウェハのデバイスへの歩留りを飛躍的に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
真空下の反応室内で半導体基板をエッチングすると同時に、又はエッチング後のいづれかに、前記反応室内を加熱することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
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