特許
J-GLOBAL ID：200903012112374888
オプトエレクトロニクス半導体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114695
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037405
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 エッチング停止層を良好に形成し、かつ、始動電流を低くする中間層を具えるオプトエレクトロニクス半導体デバイスを提供する。【構成】 本発明のオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、中間層4 の半導体材料は基板11とは異なる格子定数を有し、このバンドギャップは活性層2 により放出される放射のエネルギーより大きい。その結果中間層4 の半導体材料は可能な最も単純なものを選択でき、この半導体材料は放出された放射の吸収が小さい。したがって始動電流は減少し、比較的厚い中間層4 をエッチング停止層として好ましく使用できる。InGaAs及びInGaP のような3元半導体材料は、中間層4を形成するのに非常に適している。
請求項（抜粋）：
第1の導電形の半導体基板(11)上に、少なくとも第1の導電形の第1クラッド層(1) と、活性層(2) と、第2の導電形の第2クラッド層(3) と、中間層(4) と、第2の導電形の第3クラッド層(5) とがこの順で存在する半導体本体(10)を具え、第2クラッド層(3) の厚さを、中間層(4) が活性層(2) の光電磁界プロファイル内にあるように設定し、中間層(4) は、第2クラッド層(3) 及び第3クラッド層(5) のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する半導体材料で構成したオプトエレクトロニクス半導体デバイスにおいて、前記中間層(4) の半導体材料は、前記基板(11)の格子定数とは異なる格子定数を有し、活性層(2) により放出された放射のエネルギーより大きなバンドギャップを有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス。
IPC (2件)：
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