薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阮惠美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165131
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356637
出願日： 2004年05月06日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】高性能単結晶薄膜トランジスタを実現するため、簡単な横方向結晶成長膜の形成技術が望まれている。また、ゲート絶縁膜に関しても絶縁特性の優れた形成技術が望まれている。更に、半導体膜のパターニングに際してレジストがトランジスタの半導体膜/ゲート絶縁膜の特性を劣化させている。【解決手段】活性領域となる半導体島を形成し、その上にゲート絶縁膜となる絶縁性被覆膜を形成する。そして半導体膜と絶縁性被覆膜を同時にレーザアニールする。この結果、半導体島は全領域において横方向結晶成長し、同時に絶縁性被覆膜は高品質化する。また半導体膜のパターニングについては、半導体膜を酸素雰囲気に維持した状態で、光をマスクに通して半導体膜に照射して部分的に表面極薄酸化膜を形成し、その後選択気相エチングを行うことで表面極薄酸化膜が形成されていない半導体膜を除去することで、レジストを用いずに半導体膜がパターニングできる。以上の工程を大気にさらすことなく連続して行えば、トランジスタ特性が優れ、且つ歩留まりのよい薄膜トランジスタの作製が可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を形成し更に加工して半導体島とする半導体島形成工程と、前記半導体島の表面に絶縁性被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記半導体島をレーザー照射によって結晶化させる結晶化工程と、前記半導体島から半導体トランジスタを作成する装置形成工程と、を含むことを特徴とする半導体トランジスタ製造方法

IPC (3件)：

H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L29/78 627G , H01L21/20 , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L29/78 627C

Fターム (39件)：

5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP24 , 5F110PP26 , 5F110PP29 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ03 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

前のページに戻る