特許

J-GLOBAL ID：200903012114183370

非晶質微細シリカ粒子とその製造方法および用途

発明者： 柴崎 武義 ,  本多 一義
出願人/特許権者： 日本アエロジル株式会社
代理人 (1件)： 千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-003213
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体用樹脂の充填材料として好適な微細シリカ粒子とその製造方法の提供【解決手段】 ガス状の珪素化合物を火炎中に導いて加水分解することにより非晶質シリカ微粒子を製造する方法において、火炎温度をシリカの融点以上とし、火炎中のシリカ濃度を高め、生成したシリカ粒子をこの火炎中に滞留させて成長させ、平均粒径0.1〜1.0μmおよび比表面積5〜30m2/gの非晶質シリカ粒子を得る。

請求項（抜粋）：

ガス状の珪素化合物を火炎中に導いて加水分解することにより非晶質シリカ微粒子を製造する方法において、火炎温度をシリカの融点以上および火炎中のシリカ濃度を0.25kg/Nm3以上とし、生成したシリカ粒子をシリカの融点以上の高温下に短時間滞留させ、平均粒径(メジアン径)0.1〜0.7μmおよび比表面積5〜30m2/gの非晶質シリカ粒子を得ることを特徴とする非晶質微細シリカ粒子の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 33/18 ,  C08K 3/36 ,  C08L101/00 ,  G03G 5/05 103 ,  G03G 5/147 503 ,  G03G 9/08 375

FI (6件)：

C01B 33/18 Z ,  C08K 3/36 ,  C08L101/00 ,  G03G 5/05 103 A ,  G03G 5/147 503 ,  G03G 9/08 375

Fターム (26件)：

2H005AA08 ,  2H068AA04 ,  4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB13 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH07 ,  4G072MM01 ,  4G072MM38 ,  4G072RR05 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02 ,  4G072TT05 ,  4G072UU01 ,  4G072UU07 ,  4G072UU25 ,  4G072UU30 ,  4J002AA001 ,  4J002CC042 ,  4J002CD041 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD130 ,  4J002FD142 ,  4J002FD150 ,  4J002FD160

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 静電荷像現像剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058285   出願人：信越化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 静電荷像現像剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058285   出願人：信越化学工業株式会社