特許

J-GLOBAL ID：200903012115459094

強誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： 渡部 雅夫 ,  梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035230
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231153
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 化学組成が十分に制御され、表面モフォロジーが良好で、リーク電流や誘電率などの電気的特性が良好で、高機能の光変調素子、不揮発性メモリー、キャパシターなどに好適に用いることができる強誘電体薄膜素子を量産性良く安定して製造することができる方法を提供する。【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶薄膜または不純物原子をドープしたチタン酸ストロンチウム単結晶薄膜を表面に有する基板上に、Sr/Ti比が1.1以上2.3未満のターゲットを用いて、スパッタリング法によりエピタキシャル成長させて、チタン酸ストロンチウム薄膜からなるバッファ層を形成し、このバッファ層上にエピタキシャルまたは単一配向性のABO3 型ペロブスカイト強誘電体薄膜光導波路を形成する。

請求項（抜粋）：

チタン酸ストロンチウム単結晶薄膜または不純物原子をドープしたチタン酸ストロンチウム単結晶薄膜を表面に有する基板上に、Sr/Ti比が1.1以上2.3未満のターゲットを用いて、スパッタリング法によりエピタキシャル成長させて、チタン酸ストロンチウム薄膜からなるバッファ層を形成し、このバッファ層上にエピタキシャルまたは単一配向性のABO3 型ペロブスカイト強誘電体薄膜光導波路を形成することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (4件)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 M ,  H01L 27/04 C