特許

J-GLOBAL ID：200903012116449181

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 中沢 宏行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013450
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232338
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 Bipolar やBiCMOSまたはCMOS集積回路に高精度、高信頼性そして大容量のコンデンサ及び抵抗を提供する点。【構成】 第1導電型の半導体基板に堆積する第2導電型のエピタキシャル層表面をフィ-ルド絶縁物層により覆い、これを選択的に除去してティ-プN+ 層である第2導電型の領域を露出する。この開口部をコンデンサ形成領域とすると共に異質の絶縁物層である窒化珪素層と、第2半導体層を構成する多結晶珪素を設置する。この2層を一度のパタ-ニング工程により成形後、イオン注入工程により不純物を導入拡散する。この工程にあっては、不純物の導入拡散を制御して所望の抵抗率とするが、第2導電型のエピタキシャル層の別の場所のフィ-ルド絶縁物層に重ねて形成する多結晶珪素層を抵抗として利用する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板表面に形成する第2導電型の埋込層と,これに重ねる第2導電型の低濃度エピタキシャル層と,この表面を選択的に覆うフィ-ルド絶縁物層と,この開口部に露出する第2導電型の高濃度領域と,この第2導電型の高濃度領域に積層する異質の絶縁物層と,この異質の絶縁物層に重ねて設ける第1半導体層と,前記異質の絶縁物層及び第1半導体層から成る積層体に隣接して設ける電極と,前記第2導電型の低濃度エピタキシャル層にモノリシックに形成する能動素子または受動素子とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。