特許
J-GLOBAL ID：200903012118093805
半導体記憶装置及びデータ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050055
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 書込みデータをブロックライト毎に変更可能とすることで、より多様なデータを高速に書込めるようにする。【解決手段】 複数のカラムアドレスについてデータの同時書込みを指示するブロックライトコマンドをデコードするデコード手段(12)と、このデコード手段のデコード結果に基づいて、ブロックライトコマンドが与えられる毎に外部端子に与えられたデータをメモリセルアレイへの書込みデータとして取込む入力データ制御手段(13,14)とを設ける。デコード手段のデコード結果に基づいて、ブロックライトコマンドが与えられる毎に外部端子に与えられたデータをメモリセルアレイへの書込みデータとして取込むことで、書込みデータをブロックライト毎に変更可能とする。
請求項（抜粋）：
外部からデータを取込むための外部端子と、上記外部端子を介して入力されたデータを記憶可能なメモリセルアレイとを含み、複数のカラムアドレスについてデータの同時書込みを可能とする半導体記憶装置において、上記複数のカラムアドレスについてデータの同時書込みを指示するブロックライトコマンドをデコードするデコード手段と、上記デコード手段のデコード結果に基づいて、上記ブロックライトコマンドが与えられる毎に上記外部端子に与えられたデータを上記メモリセルアレイへの書込みデータとして取込む入力データ制御手段とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。
FI (3件)：
G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 371 E
, G11C 11/34 371 H
