特許
J-GLOBAL ID：200903012118487994

レジストパターンの形成方法

発明者：
北村 和憲

北村 和憲 について

, 
佐藤 清

佐藤 清 について

, 
井上 栄一

井上 栄一 について


出願人/特許権者：
山栄化学株式会社

山栄化学株式会社 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-201223
公開番号（公開出願番号）：特開2008-116910
出願日： 2007年08月01日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】ソルダーレジスト材の露光を短時間で行うことが可能であり、また、従来と同じソルダーレジスト材を用いてレーザーにより露光を行うことが可能なレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】プリント配線板3にカバーフィルム6に表面が覆われた紫外線感光性のソルダーレジスト膜7を形成し、ソルダーレジスト膜7の上方に紫外線を遮断し可視光感光性のレジスト膜8を形成し、可視光レーザー10により露光し、レジスト膜8にレジストパターン11を露光し、水で現像してレジスト膜8の硬化膜でレジストパターン11によるマスクパターンを形成し、次いで、紫外線により、前記マスクパターンをマスクとして、ソルダーレジスト膜7にソルダーレジストパターン5を露光し、弱アルカリ現像液で現像し、プリント配線板3にソルダーレジスト膜7の硬化膜によるソルダーレジストパターン5を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体チップ或いは配線基板の配線パターン上に第1の感応波長域の波長の光に感応する第1の光硬化性レジスト膜を形成する工程と、 前記第1の光硬化性レジスト膜の上側に、第1の感応波長域の波長の光を遮断し、且つ第2の感応波長域の波長の光に感応する第2の光硬化性レジスト膜を形成する工程と、 第2の感応波長域の波長の光を含むレーザーを第2の光硬化性レジスト膜のマスクパターンとなる領域に走査して露光する工程と、 第1の光硬化性レジスト膜を現像しない現像液で前記第2の光硬化性レジスト膜を現像してマスクパターンを形成する工程と、 前記第1の感応波長域の波長の光で、前記マスクパターンをマスクとして、前記第1の光硬化性レジスト膜をパターン露光する工程と、 前記第1の光硬化性レジスト膜を現像して、前記半導体チップ或いは配線パターンが形成された基板上にレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (8件)：
G03F 7/26 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/027 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18 ,  G03F 7/20
FI (8件)：
G03F7/26 511 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/027 ,  H05K3/28 D ,  H05K3/06 J ,  H05K3/18 D ,  G03F7/20 501
Fターム (51件)：
2H025AA01 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025BC74 ,  2H025CA00 ,  2H025CC17 ,  2H025DA14 ,  2H025EA08 ,  2H025FA06 ,  2H025FA17 ,  2H025FA24 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA05 ,  2H096BA06 ,  2H096EA02 ,  2H096EA14 ,  2H096GA08 ,  2H096GA50 ,  2H096KA04 ,  2H096KA05 ,  2H096KA08 ,  2H097AA03 ,  2H097AA11 ,  2H097BB02 ,  2H097FA07 ,  2H097LA09 ,  5E314AA27 ,  5E314BB06 ,  5E314CC15 ,  5E314DD07 ,  5E314GG24 ,  5E339BC02 ,  5E339BD11 ,  5E339BE13 ,  5E339CC01 ,  5E339CE11 ,  5E339CF16 ,  5E339CF17 ,  5E339CG04 ,  5E339DD04 ,  5E343CC63 ,  5E343DD32 ,  5E343ER16 ,  5E343ER18 ,  5E343ER43 ,  5E343GG20
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特許第2679454号公報
  • パターン形成用積層体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234019   出願人：関西ペイント株式会社, 富士通株式会社
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050404   出願人：関西ペイント株式会社
審査官引用 (2件)
  • パターン形成用積層体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234019   出願人：関西ペイント株式会社, 富士通株式会社
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050404   出願人：関西ペイント株式会社

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