特許
J-GLOBAL ID：200903012121391850
ドライエッチング方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103752
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298259
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】ドライエッチング装置のエッチング終点判定制御に関して、被エッチング膜質の変動や、プラズマ状態等の装置自身のコンディション変動に起因した異常エッチング及び終点判定不良を防止する。【構成】複数の発光検出器6a,b,c,dにより、被エッチング膜、下地膜、エッチングガス等の発光強度を同時にモニターし、その発光強度及び強度比からエッチングレートや、選択比をプロセスデーター演算回路12により算出し、このデーターを基に、エッチング過不足の状況を判断し、リアムタイムで、RFパラー、真空度、ガス流量等のエッチング制御パラメーターをエッチングパラメーター演算制御部13にて補正制御する事ができる。
請求項（抜粋）：
ドライエッチングにより被エッチング物をエッチングする方法において、複数の発光検出器により、被エッチング膜、フォトレジスト、エッチングガス等に固有のプラズマ発光波長と発光強度を同時にモニター抽出し、これらの出力強度比から被エッチング膜及び下地膜のエッチングレートと選択比を算出し、このデーターを基にリアルタイムでエッチング反応の過不足状態を判断することにより、RFパワー、エッチングチャンバーの真空度、エッチングガスの流量及び流量比を可変制御し、エッチング状態の補正制御を行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 E
, C23F 4/00 A
