特許
J-GLOBAL ID:200903012128899069
発光ダイオード
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-203432
公開番号(公開出願番号):特開2004-047748
出願日: 2002年07月12日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】簡単な構成により、発光効率を向上させるようにした、波長変換LEDを提供する。【解決手段】電極端子11b、11cと、LEDチップ12と、上記LEDチップからの発光を開口部へ反射する凹陥部11aを備えたリフレクタ11と、凹陥部内に充填された封止樹脂と、上記封止樹脂内に混入された上記LEDチップの発光を吸収し、吸収した光より長波長の光を発する波長変換材と、を含む発光ダイオードであって、上記LEDチップは上記凹陥部内にて電極端子に接続され、かつ、上記LEDチップの上面にて、ほぼその全面に亘って接合面12aからの光を透過させずに反射させる導電性反射部材21が設けられており、上記封入樹脂内に混入された波長変換材の密度が、上記LEDチップの接合面上方側より接合面下方側の方が高くなっているおよび/または上記凹陥部を備えたリフレクタ内面壁に、波長変換材層が形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電極端子と、LEDチップと、上記LEDチップからの発光を開口部へ反射する凹陥部を備えたリフレクタと、凹陥部内に充填された封止樹脂と、上記封止樹脂内に混入された上記LEDチップの発光を吸収し、吸収した光より長波長の光を発する波長変換材と、を含む発光ダイオードであって、
上記LEDチップは上記凹陥部内にて電極端子に接続され、かつ、上記LEDチップの上面にて、ほぼその全面に亘って接合面からの光を透過させずに反射させる導電性反射部材が設けられており、上記封入樹脂内に混入された波長変換材の密度が、上記LEDチップの接合面上方側より接合面下方側の方が高くなっているおよび/または上記凹陥部を備えたリフレクタ内面壁に、波長変換材層が形成されていることを特徴とする、発光ダイオード。
IPC (1件):
FI (3件):
H01L33/00 N
, H01L33/00 A
, H01L33/00 C
Fターム (12件):
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA40
, 5F041CA94
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DA43
, 5F041EE23
, 5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (7件)
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-298249
出願人:豊田合成株式会社
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半導体発光装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-005109
出願人:株式会社東芝
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白色光を放出する発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-125347
出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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