特許
J-GLOBAL ID：200903012134291188
金属イオン源
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-113946
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096680
出願日： 1991年04月18日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】この発明の目的は、スパッタリングにより発生した金属粒子を効率よく電離して、大電流の金属イオンを得ることの出来る金属イオン源を提供するものである。【構成】この発明は、第1ホローカソード、中間電極、第2ホローカソード、アノードの順序で、これらを相互に絶縁して同心軸上に直列に配列し、プラズマによって、第2ホローカソードの金属材料をスパッタリングして、金属イオンを生成する金属イオン源において、中間電極と第2ホローカソードとの間に絶縁セラミックスを設けると共に、第2ホローカソードとアノードとの間にも絶縁セラミックスを設け、更に、第2ホローカソードの中空穴の内径を穴の中央部において大きくしたことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
第1ホローカソード、中間電極、第2ホローカソード、アノードの順序で、これらを相互に絶縁して同心軸上に直列に配列すると共に、ソレノイドコイルにより中間電極の通過穴および第2ホローカソードの中空穴の中心軸付近に中心軸と同方向の磁場を形成し、第1ホローカソードとアノードとの間の放電により生成するプラズマによって、第2ホローカソードの金属材料をスパッタリングして、金属イオンを生成する金属イオン源において、上記中間電極と上記第2ホローカソードの一端との間に絶縁セラミックスを設けると共に、上記第2ホローカソードの他端と上記アノードとの間にも絶縁セラミックスを設け、更に、上記第2ホローカソードの中空穴の内径を穴の中央部において大きくしたことを特徴とする金属イオン源。
IPC (2件)：
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