特許
J-GLOBAL ID：200903012139696160
プラズマCVD装置と該装置を用いたCVD処理方法及び該装置内の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060681
公開番号（公開出願番号）：特開平7-073997
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 ICPによりプラズマ発生手段を構成し,成膜の状態が装置外部から観測できるプラズマCVD処理装置を提供する。【構成】 処理ガス導入ポート6からCVD処理ガスを真空容器4内に導入し,誘電体窓2の近傍に配設されたアンテナ3bに高周波電力を供給すると,アンテナ3bからの電磁波により真空容器4内に高周波電場が誘起されCVD処理ガスがプラズマ化され,分解生成物の堆積により試料9に成膜がなされる。上記アンテナ3b及び誘電体窓2,試料台8は,真空容器4の同一軸上に平面方向を一致させて配設されており,アンテナ3b及び誘電体窓2の直径は試料9の直径より大きく形成されているので,均一化された成膜がなされる。又,誘電体窓2は透明体で形成されているので,成膜の進行状態が装置外部から観測でき,膜厚測定手段を用いて膜厚の測定・制御を実施することができる。
請求項（抜粋）：
高周波電力が印加された真空容器内に所要のCVD処理ガスを導入してプラズマ化し,該プラズマにより分解された上記CVD処理ガスの分解生成物を上記真空容器内に配置された試料上に堆積させるプラズマCVD装置において,上記真空容器の外郭上に配設された誘電体窓と,上記真空容器外の上記誘電体窓の近傍に配設されて真空容器内に高周波電場を誘起させるアンテナと,上記試料を上記真空容器内の所定位置に保持する試料台とを,上記真空容器の同一軸上に,それぞれの平面方向を一致させて配設したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23C 16/52
, H01L 21/205
